中芯传将完成5奈米开发 良率仅33% 成本恐比台积高50%

在美国制裁下，为了实现中国半导体制造自主，外媒指出，中芯国际将在今年完成5奈米晶片开发，但由于缺乏先进的极紫外光 （EUV）微影设备，将采用较旧的深紫外光 （DUV）微影设备达成目标，成本可能比台积电高出50%且良率仅33%。

科技媒体「Wccftech」报导，一份由爆料者@Jukanlosreve发现、Kiwoom Securities发布的报告显示，中芯预计于2025年完成5奈米晶片技术开发。

与台积电相比，中芯的良率仅约台积电的33%，且晶圆成本高出50%。这是由于DUV技术需要采用多重曝光技术来达成更高阶制程，导致生产步骤增加、制造时间拉长，同时也提高了不良品的比率。

报告进一步透露，华为下一代旗舰机Mate 70预计将搭载麒麟9020晶片，仍采用7奈米制程。然而，中芯的5奈米技术未来可能应用于华为升腾910C AI晶片，以减少中国对辉达的依赖。

此外，报导指出，中芯若欲突破5奈米瓶颈，关键在于中国能否成功开发EUV设备。外传中国首批国产EUV机台将于2025年第3季进入试生产阶段。而与华为关系密切的中国半导体设备商新凯来（SiCarrier）也正在研发替代ASML的EUV技术，若能成功，将大幅提升中国在先进制程的自主能力。